Strain and temperature profile in the cladding layer of operationg InGaAs laser measured by microprobe photoluminesce and Raman spectroscopy / C., Corvasce; G., Scamarcio; Spagnolo, Vincenzo Luigi; M., Lugar; M., Ferrara; S., Pellegrino; M., DEL GIUDICE; M. G., Re. - (1996), pp. 100-104. (Intervento presentato al convegno Semiconductor devices conference).

Strain and temperature profile in the cladding layer of operationg InGaAs laser measured by microprobe photoluminesce and Raman spectroscopy

SPAGNOLO, Vincenzo Luigi;
1996-01-01

1996
Semiconductor devices conference
Strain and temperature profile in the cladding layer of operationg InGaAs laser measured by microprobe photoluminesce and Raman spectroscopy / C., Corvasce; G., Scamarcio; Spagnolo, Vincenzo Luigi; M., Lugar; M., Ferrara; S., Pellegrino; M., DEL GIUDICE; M. G., Re. - (1996), pp. 100-104. (Intervento presentato al convegno Semiconductor devices conference).
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