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POLITECNICO DI BARI - Catalogo dei prodotti della Ricerca
We present the beam test results of single-sided silicon microstrip detectors, with different substrate resistivities. The effects of radiation damage are studied for a detector irradiated to a fluence of 2.4 x 10(14) n/cm(2). The detectors are read out with the APV6 chip, which is compatible with the 40 MHz LHC clock, The performance of different detectors and readout modes are studied in terms of signal-to-noise ratio and efficiency. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Study of radiation damage and substrate resistivity effects from beam test of silicon microstrip detectors using LHC readout electronics / Angarano, M. M.; Beaumont, W.; Biasini, M.; Bilei, G. M.; Brunetti, M. T.; Checcucci, B.; Civinini, C.; Coughlan, J.; Creanza, D.; de Palma, M.; Drouhin, F.; Fanò, L.; Fiore, L.; French, M.; Furtjes, A.; Giassi, A.; Giorgi, M.; Gutleber, J.; Hall, G.; Lariccia, P.; Loreti, M.; Maggi, G.; Mantovani, G.; Marinelli, N.; Mattig, P.; Messina, G.; My, S.; Papi, A.; Radicci, V.; Raymond, M.; Santinelli, R.; Selvaggi, G.; Servoli, L.; Silvestris, L.; Tempesta, P.; Tsirou, A.; Verdini, P. G.; Wittmer, B.. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - STAMPA. - 488:1-2(2002), pp. 85-93. [10.1016/S0168-9002(02)00267-X]
Study of radiation damage and substrate resistivity effects from beam test of silicon microstrip detectors using LHC readout electronics
Angarano, M. M.;Beaumont, W.;Biasini, M.;Bilei, G. M.;Brunetti, M. T.;Checcucci, B.;Civinini, C.;Coughlan, J.;Creanza, D.;de Palma, M.;Drouhin, F.;Fanò, L.;Fiore, L.;French, M.;Furtjes, A.;Giassi, A.;Giorgi, M.;Gutleber, J.;Hall, G.;Lariccia, P.;Loreti, M.;Maggi, G.;Mantovani, G.;Marinelli, N.;Mattig, P.;Messina, G.;My, S.;Papi, A.;Radicci, V.;Raymond, M.;Santinelli, R.;Selvaggi, G.;Servoli, L.;Silvestris, L.;Tempesta, P.;Tsirou, A.;Verdini, P. G.;Wittmer, B.
2002-01-01
Abstract
We present the beam test results of single-sided silicon microstrip detectors, with different substrate resistivities. The effects of radiation damage are studied for a detector irradiated to a fluence of 2.4 x 10(14) n/cm(2). The detectors are read out with the APV6 chip, which is compatible with the 40 MHz LHC clock, The performance of different detectors and readout modes are studied in terms of signal-to-noise ratio and efficiency. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11589/2707
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
