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POLITECNICO DI BARI - Catalogo dei prodotti della Ricerca
A large quantity of silicon microstrip detectors is foreseen to be used as part of the CMS tracker. A specific research and development program has been carried out with the aim of defining layouts and technological solutions suitable for the use of silicon detectors in high radiation environment. Results presented here summarise this work on many research areas such as techniques for device manufacturing, pre- and post-irradiation electrical characterization, silicon bulk defects analysis and simulations, system performance analytical calculations and simulations and test beam analysis. As a result of this work we have chosen to use single-sided, AC-coupled, poly silicon biased, 300 mu m thick, p(+) on n substrate detectors. We feel confident that these devices will match the required performances for the CMS tracker provided they can be operated at bias voltages as high as 500 V. Such high-voltage devices have been succesfully manufactured and we are now concentrating our efforts in enhancing yield and reliability. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
The CMS silicon microstrip detectors: research and development / Bacchetta, N; Albergo, S; Azzi, P; Babucci, E; Bader, A; Bagliesi, G; Bartalini, P; Basti, A; Biggeri, U; Bilei, Gm; Bisello, D; Boemi, D; Bosi, F; Borrello, L; Bozzi, C; Breuker, H; Bruzzi, M; Candelori, A; Caner, A; Castaldi, R; Castro, A; Catacchini, E; Checcucci, B; Ciampolini, P; Civinini, C; Connotte, J; Creanza, Donato Maria; D'Alessandro, R; Da Rold, M; de Palma, M; Dell'Orso, R; Della Marina, R; Eklund, C; Elliott Peisert, A; Feld, L; Fiore, L; Focardi, E; French, M; Freudenreich, K; Giassi, A; Giraldo, A; Glessing, B; Gu, Wh; Hall, G; Hammerstrom, R; Hrubec, J; Huhtinen, M; Karimaki, V; Krammer, M; Lariccia, P; Lenzi, M; Loreti, M; Luebelsmeyer, K; Lustermann, W; Maggi, Giorgio Pietro; Mannelli, M; Mantovani, G; Marchioro, A; Martignon, G; Mc Evoy, B; Meschini, M; Messineo, A; My, S; Paccagnella, A; Palla, F; Pandoulas, D; Parrini, G; Passeri, D; Pieri, M; Piperov, S; Potenza, R; Raffaelli, F; Raso, G; Raymond, M; Schmitt, B; Selvaggi, G; Servoli, L; Sguazzoni, G; Siedling, R; Silvestris, L; Skog, K; Starodumov, A; Stavitski, I; Stefanini, G; Tempesta, P; Tonelli, G; Tricomi, A; Tuuva, T; Vannini, C; Verdini, Pg; Viertel, G; Xie, Z; Wang, Y; Watts, S; Wittmer, B.. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - STAMPA. - 426:1(1999), pp. 16-23. [10.1016/S0168-9002(98)01461-2]
The CMS silicon microstrip detectors: research and development
A large quantity of silicon microstrip detectors is foreseen to be used as part of the CMS tracker. A specific research and development program has been carried out with the aim of defining layouts and technological solutions suitable for the use of silicon detectors in high radiation environment. Results presented here summarise this work on many research areas such as techniques for device manufacturing, pre- and post-irradiation electrical characterization, silicon bulk defects analysis and simulations, system performance analytical calculations and simulations and test beam analysis. As a result of this work we have chosen to use single-sided, AC-coupled, poly silicon biased, 300 mu m thick, p(+) on n substrate detectors. We feel confident that these devices will match the required performances for the CMS tracker provided they can be operated at bias voltages as high as 500 V. Such high-voltage devices have been succesfully manufactured and we are now concentrating our efforts in enhancing yield and reliability. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.