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POLITECNICO DI BARI - Catalogo dei prodotti della Ricerca
The key physical phenomena associated with long-wavelength infrared emission and laser action in quantum cascade lasers based on InP/GaInAs/AlInAs and GaAs/AlGaAs heterostructures are reviewed. The effect of different tunnel injection schemes on the hot-electron energy distributions is compared. High-power superlattice lasers with improved high-energy injection schemes are described. The local temperature distribution, the thermal resistance and the hot-phonon effects are monitored in operating devices by micro-probe Raman and luminescence measurements.
State of the art of InP and GaAs quantum cascade lasers / Scamarcio, G., Spagnolo, V., Troccoli, M., Zanolli, Z., Rizzi, F., Vitiello, M., Marano, D., Sabato, A., Catalano, I.M., Sibilano, M., Calabrese, P.. - STAMPA. - (2002), pp. 731-734. (14th Indium Phosphide and Related Materials Conference Stockholm, Sweden May 12-16, 2002) [10.1109/ICIPRM.2002.1014626].
State of the art of InP and GaAs quantum cascade lasers
G. Scamarcio;V. Spagnolo;M. Troccoli;Z. Zanolli;F. Rizzi;M. Vitiello;D. Marano;A. Sabato;I. M. Catalano;M. Sibilano;P. Calabrese
2002
Abstract
The key physical phenomena associated with long-wavelength infrared emission and laser action in quantum cascade lasers based on InP/GaInAs/AlInAs and GaAs/AlGaAs heterostructures are reviewed. The effect of different tunnel injection schemes on the hot-electron energy distributions is compared. High-power superlattice lasers with improved high-energy injection schemes are described. The local temperature distribution, the thermal resistance and the hot-phonon effects are monitored in operating devices by micro-probe Raman and luminescence measurements.
State of the art of InP and GaAs quantum cascade lasers / Scamarcio, G., Spagnolo, V., Troccoli, M., Zanolli, Z., Rizzi, F., Vitiello, M., Marano, D., Sabato, A., Catalano, I.M., Sibilano, M., Calabrese, P.. - STAMPA. - (2002), pp. 731-734. (14th Indium Phosphide and Related Materials Conference Stockholm, Sweden May 12-16, 2002) [10.1109/ICIPRM.2002.1014626].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11589/13851
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
