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POLITECNICO DI BARI - Catalogo dei prodotti della Ricerca
We study the formation of self organized light peaks, in GaAs microcavities, (called Cavity Solitons, abbr. CS). By means of analytical and numerical techniques, experimentally accessible parametric domains can be found, where stable and robust CS can be addressed, shifted and brought to interaction ranges, thus realizing some basic schemes for optical information treatment. A Fourier-Newton approach is applied to gain quantitative information on CS's dynamical response to external control fields or on CS pair interaction.
Controlling cavity solitons in semiconductor microcavities for optical information treatment / Brambilla, M., Maggipinto, T., Maria Perrini, I., Spinelli, L., Tissoni, G.. - STAMPA. - 4283:(2001), pp. 551-562. (Conference on Physics and Simulation of Optoelectronic Devices IX San Jose, CA January 22-26, 2001) [10.1117/12.432606].
Controlling cavity solitons in semiconductor microcavities for optical information treatment
Massimo Brambilla;Tommaso Maggipinto;Ida Maria Perrini;Lorenzo Spinelli;Giovanna Tissoni
2001
Abstract
We study the formation of self organized light peaks, in GaAs microcavities, (called Cavity Solitons, abbr. CS). By means of analytical and numerical techniques, experimentally accessible parametric domains can be found, where stable and robust CS can be addressed, shifted and brought to interaction ranges, thus realizing some basic schemes for optical information treatment. A Fourier-Newton approach is applied to gain quantitative information on CS's dynamical response to external control fields or on CS pair interaction.
Controlling cavity solitons in semiconductor microcavities for optical information treatment / Brambilla, M., Maggipinto, T., Maria Perrini, I., Spinelli, L., Tissoni, G.. - STAMPA. - 4283:(2001), pp. 551-562. (Conference on Physics and Simulation of Optoelectronic Devices IX San Jose, CA January 22-26, 2001) [10.1117/12.432606].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11589/18617
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.