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POLITECNICO DI BARI - Catalogo dei prodotti della Ricerca
A complete and deep description of the characteristics of the cavity solitons (CSs) in semiconductor cavities is provided. Generation of a number of CSs in the transverse section is demonstrated, and a careful analysis of the switching process of CSs is performed. An extended comparison between the results of the numerical simulations and those of the experiment is also presented.
Physics of cavity solitons in semiconductors / Lugiato, L. A.; Tissoni, G.; Hachair, X.; Barland, S.; Furfaro, L.; Giudici, M.; Balle, S.; Tredicce, J.; Brambilla, M.; Maggipinto, T.; Perrini, I. M.. - STAMPA. - (2004), pp. 418-419. (Intervento presentato al convegno 17th Annual Meeting of the IEEELasers and Electro-Optics Society, 2004, LEOS 2004 tenutosi a Rio Grande, Puerto Rico nel November 07-11, 2004) [10.1109/LEOS.2004.1363289].
Physics of cavity solitons in semiconductors
L. A. Lugiato;G. Tissoni;X. Hachair;S. Barland;L. Furfaro;M. Giudici;S. Balle;J. Tredicce;M. Brambilla;T. Maggipinto;I. M. Perrini
2004-01-01
Abstract
A complete and deep description of the characteristics of the cavity solitons (CSs) in semiconductor cavities is provided. Generation of a number of CSs in the transverse section is demonstrated, and a careful analysis of the switching process of CSs is performed. An extended comparison between the results of the numerical simulations and those of the experiment is also presented.
Physics of cavity solitons in semiconductors / Lugiato, L. A.; Tissoni, G.; Hachair, X.; Barland, S.; Furfaro, L.; Giudici, M.; Balle, S.; Tredicce, J.; Brambilla, M.; Maggipinto, T.; Perrini, I. M.. - STAMPA. - (2004), pp. 418-419. (Intervento presentato al convegno 17th Annual Meeting of the IEEELasers and Electro-Optics Society, 2004, LEOS 2004 tenutosi a Rio Grande, Puerto Rico nel November 07-11, 2004) [10.1109/LEOS.2004.1363289].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11589/21548
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
