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POLITECNICO DI BARI - Catalogo dei prodotti della Ricerca
In the present work we provide a complete and deep description of the characteristics of the cavity solitons in semiconductor cavities. We demonstrate the generation of quite a number of CSs in the transverse section, and perform a careful analysis of the switching process of CSs. The laser where we are intended to generate the cavity solitons is an oxidized bottom-emitter VCSEL emitting around 970 nm at threshold
Physics of cavity solitons in semiconductors / Hachair, X.; Barland, S.; Giudici, M.; Balle, S.; Tredicce, J.; Lugiato, L. A.; Tissoni, G.; Brambilla, M.; Maggipinto, T.; Perrini, I. M.. - STAMPA. - (2005). (Intervento presentato al convegno 2005 Conference on Lasers and Elctro-Optics Europe tenutosi a Munich, Germany nel June 12-17 , 2005) [10.1109/CLEOE.2005.1567918].
Physics of cavity solitons in semiconductors
Hachair, X.;Barland, S.;Giudici, M.;Balle, S.;Tredicce, J.;Lugiato, L. A.;Tissoni, G.;Brambilla, M.;Maggipinto, T.;Perrini, I. M.
2005-01-01
Abstract
In the present work we provide a complete and deep description of the characteristics of the cavity solitons in semiconductor cavities. We demonstrate the generation of quite a number of CSs in the transverse section, and perform a careful analysis of the switching process of CSs. The laser where we are intended to generate the cavity solitons is an oxidized bottom-emitter VCSEL emitting around 970 nm at threshold
Physics of cavity solitons in semiconductors / Hachair, X.; Barland, S.; Giudici, M.; Balle, S.; Tredicce, J.; Lugiato, L. A.; Tissoni, G.; Brambilla, M.; Maggipinto, T.; Perrini, I. M.. - STAMPA. - (2005). (Intervento presentato al convegno 2005 Conference on Lasers and Elctro-Optics Europe tenutosi a Munich, Germany nel June 12-17 , 2005) [10.1109/CLEOE.2005.1567918].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11589/21587
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
