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POLITECNICO DI BARI - Catalogo dei prodotti della Ricerca
In this paper we present SOI, suspended Si, and Ge-on-Si photonic platforms and mid- IR passive and active devices based on these platforms. We demonstrate low loss waveguides, splitters, filters, interferometers and spectrometers in different material platforms. Mid-infrared detection using defect engineered silicon waveguides is reported at the wavelength of 2-2.5 μm. All optical modulation in Ge is also analyzed. Finally, theoretical investigation of electroabsorption and electrorefraction in Ge is reported.
Group IV Photonics for the Mid-Infrared / Mashanovich, G. Z.; Nedeljkovic, M.; Soler Penades, J.; Mitchell, C. J.; Khokhar, A. Z.; Littlejohns, C. J.; Stankovic, S.; Troia, B.; Passaro, V. M. N.; Shen, L.; Healy, N.; Peacock, A. C.; Ortega-Monux, A.; Wanguemert-Perez, G.; Halir, R.; Molina-Fernandez, I.; Benedikovic, D.; Murugan, G. S.; Wilkinson, J. S.; Cheben, P.; Villafranca, A.; Ackert, J. J.; Knights, A. P.; Thomson, D. J.; Gardes, F. Y.; Reed, G. T.. - ELETTRONICO. - (2015). (Intervento presentato al convegno Integrated Photonics Research, Silicon and Nanophotonics tenutosi a Boston, MA nel 27 Giugno - 1 Luglio 2015).
Group IV Photonics for the Mid-Infrared
G. Z. Mashanovich;M. Nedeljkovic;J. Soler Penades;C. J. Mitchell;A. Z. Khokhar;C. J. Littlejohns;S. Stankovic;B. Troia;V. M. N. Passaro;L. Shen;N. Healy;A. C. Peacock;A. Ortega-Monux;G. Wanguemert-Perez;R. Halir;I. Molina-Fernandez;D. Benedikovic;G. S. Murugan;J. S. Wilkinson;P. Cheben;A. Villafranca;J. J. Ackert;A. P. Knights;D. J. Thomson;F. Y. Gardes;G. T. Reed
2015-01-01
Abstract
In this paper we present SOI, suspended Si, and Ge-on-Si photonic platforms and mid- IR passive and active devices based on these platforms. We demonstrate low loss waveguides, splitters, filters, interferometers and spectrometers in different material platforms. Mid-infrared detection using defect engineered silicon waveguides is reported at the wavelength of 2-2.5 μm. All optical modulation in Ge is also analyzed. Finally, theoretical investigation of electroabsorption and electrorefraction in Ge is reported.
Integrated Photonics Research, Silicon and Nanophotonics
978-1-55752-000-5
Group IV Photonics for the Mid-Infrared / Mashanovich, G. Z.; Nedeljkovic, M.; Soler Penades, J.; Mitchell, C. J.; Khokhar, A. Z.; Littlejohns, C. J.; Stankovic, S.; Troia, B.; Passaro, V. M. N.; Shen, L.; Healy, N.; Peacock, A. C.; Ortega-Monux, A.; Wanguemert-Perez, G.; Halir, R.; Molina-Fernandez, I.; Benedikovic, D.; Murugan, G. S.; Wilkinson, J. S.; Cheben, P.; Villafranca, A.; Ackert, J. J.; Knights, A. P.; Thomson, D. J.; Gardes, F. Y.; Reed, G. T.. - ELETTRONICO. - (2015). (Intervento presentato al convegno Integrated Photonics Research, Silicon and Nanophotonics tenutosi a Boston, MA nel 27 Giugno - 1 Luglio 2015).
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11589/22423
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
