Strain and temperature profile in the cladding layer of operationg InGaAs laser measured by microprobe photoluminesce and Raman spectroscopy / C., C., G., S., Spagnolo, V.L., M., L., M., F., S., P., M., D.G., M. G., R.e.. - (1996), pp. 100-104. (Semiconductor devices conference ).

Strain and temperature profile in the cladding layer of operationg InGaAs laser measured by microprobe photoluminesce and Raman spectroscopy

SPAGNOLO, Vincenzo Luigi;
1996

1996
Semiconductor devices conference
Strain and temperature profile in the cladding layer of operationg InGaAs laser measured by microprobe photoluminesce and Raman spectroscopy / C., C., G., S., Spagnolo, V.L., M., L., M., F., S., P., M., D.G., M. G., R.e.. - (1996), pp. 100-104. (Semiconductor devices conference ).
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