Problemi di analisi e progetto dei dispositivi a semiconduttore

Il presente libro illustra l’applicazione della fisica, della tecnologia e dei modelli dei dispositivi elettronici a semiconduttore ai fini dell’analisi e progetto dei circuiti integrati in Silicio ed in Arseniuro di Gallio. L’organizzazione del testo si basa su un voluto equilibrio fra richiami teorici essenziali ed esempi pratici, proposti sotto forma di esercizi risolti. I primi capitoli sono dedicati a richiami di elettronica quantistica, teoria delle bande di energia, fenomeni di trasporto nei semiconduttori ed elementi relativi ai processi tecnologici. Segue la trattazione di contatti metallo/semiconduttore e giunzioni. In particolare vengono prese in esame, oltre alla “classica” omogiunzione, anche le “eterogiunzioni”, mediante le quali vengono introdotte le basi per lo studio ed il progetto di dispositivi di ultima generazione, quali i MESFET con buffer in AlGaAs, gli HEMT e gli HBT, che stanno suscitando interessi applicativi sempre maggiori. Nei capitoli sui transistori, bipolari e ad effetto di campo in Si e GaAs, viene posta particolare attenzione anche ai modelli per il CAD, che costituiscono il necessario ponte tra prestazioni del dispositivo e del circuito. Ritengo, infatti, che per un progetto affidabile sia necessaria non solo una approfondita conoscenza dei principi fisici che regolano il funzionamento dei dispositivi elettronici, ma anche la capacità di applicare tali principi teorici per la verifica e l’ottimizzazione dei risultati ottenuti con gli strumenti CAD. Per gli argomenti e gli esempi trattati credo che il testo possa essere particolarmente adatto agli studenti dei Corsi di Laurea in Ingegneria Elettronica, Fisica e Scienza dei Materiali e di indubbia utilità in corsi propedeutici alla progettazione elettronica.