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POLITECNICO DI BARI - Catalogo dei prodotti della Ricerca
Interstrip and backplane capacitances on silicon microstrip detectors with p(+) strip on n substrate of 320 mu m thickness were measured for pitches between 60 and 240 mu m and width over pitch ratios between 0.13 and 0.5. Parametrisations of capacitance w.r.t. pitch and width were compared with data. The detectors were measured before and after being irradiated to a fluence of 4 x 10(14) protons/cm(2) of 24 GeV/e momentum. The effect of the crystal orientation of the silicon has been found to have a relevant influence on the surface radiation damage, favouring the choice of a [1 0 0] substrate. Working at high bias (up to 500 V in CMS) might be critical for the stability of detector, for a small width over pitch ratio. The influence of having a metal strip larger than the p(+) implant has been studied and found to enhance the stability. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
New results on silicon microstrip detectors of CMS tracker / Demaria, N., Albergo, S., Angarano, M., Azzi, P., Babucci, E., Bacchetta, N., Bader, A., Bagliesi, G., Basti, A., Biggeri, U., Bilei, G.m., Bisello, D., Boemi, D., Bolla, G., Bosi, F., Borrello, L., Bortoletto, D., Bozzi, C., Braibant, S., Breuker, H., et al.. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - STAMPA. - 447:1-2(2000), pp. 142-150. [10.1016/S0168-9002(00)00182-0]
New results on silicon microstrip detectors of CMS tracker
Interstrip and backplane capacitances on silicon microstrip detectors with p(+) strip on n substrate of 320 mu m thickness were measured for pitches between 60 and 240 mu m and width over pitch ratios between 0.13 and 0.5. Parametrisations of capacitance w.r.t. pitch and width were compared with data. The detectors were measured before and after being irradiated to a fluence of 4 x 10(14) protons/cm(2) of 24 GeV/e momentum. The effect of the crystal orientation of the silicon has been found to have a relevant influence on the surface radiation damage, favouring the choice of a [1 0 0] substrate. Working at high bias (up to 500 V in CMS) might be critical for the stability of detector, for a small width over pitch ratio. The influence of having a metal strip larger than the p(+) implant has been studied and found to enhance the stability. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
