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POLITECNICO DI BARI - Catalogo dei prodotti della Ricerca
The RD48 (ROSE) collaboration has succeeded to develop radiation hard silicon detectors. capable to withstand the harsh hadron fluences in the tracking areas of LHC experiments. In order to reach this objective, a defect engineering technique was employed resulting in the development of Oxygen enriched FZ silicon (DOFZ), ensuring the necessary O-enrichment of about 2 x 10(17) O/cm(3) in the normal detector processing. Systematic investigations have been carried out on various standard and oxygenated silicon diodes with neutron, proton and pion irradiation up to a fluence of 5 x 10(14)cm(-2) (1 MeV neutron equivalent). Major focus is on the changes of the effective doping concentration (depletion voltage). Other aspects (reverse current, charge collection) are covered too and the appreciable benefits obtained with DOFZ silicon in radiation tolerance for charged hadrons are outlined. The results are reliably described by the "Hamburg model": its application to LHC experimental conditions is shown, demonstrating the superiority of the defect engineered silicon. Microscopic aspects of damage effects are also discussed. including differences due to charged and neutral hadron irradiation. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Radiation hard silicon detectors - developments by the RD48 (ROSE) collaboration / Lindström, G.; Ahmed, M.; Albergo, S.; Allport, P.; Anderson, D.; Andricek, L.; Angarano, M. M.; Augelli, V.; Bacchetta, N.; Bartalini, P.; Bates, R.; Biggeri, U.; Bilei, G. M.; Bisello, D.; Boemi, D.; Borchi, E.; Botila, T.; Brodbeck, T. J.; Bruzzi, M.; Budzynski, T.; Burger, P.; Campabadal, F.; Casse, G.; Catacchini, E.; Chilingarov, A.; Ciampolini, P.; Cindro, V.; Costa, M. J.; Creanza, D.; Clauws, P.; Da Via, C.; Davies, G.; De Boer, W.; Dell'Orso, R.; De Palma, M.; Dezillie, B.; Eremin, V.; Evrard, O.; Fallica, G.; Fanourakis, G.; Feick, H.; Focardi, E.; Fonseca, L.; Fretwurst, E.; Fuster, J.; Gabathuler, K.; Glaser, M.; Grabiec, P.; Grigoriev, E.; Hall, G.; Hanlon, M.; Hauler, F.; Heising, S.; Holmes-Siedle, A.; Horisberger, R.; Hughes, G.; Huhtinen, M.; Ilyashenko, I.; Ivanov, A.; Jones, B. K.; Jungermann, L.; Kaminsky, A.; Kohout, Z.; Kramberger, G.; Kuhnke, M.; Kwan, S.; Lemeilleur, F.; Leroy, C.; Letheren, M.; Li, Z.; Ligonzo, T.; Linhart, V.; Litovchenko, P.; Loukas, D.; Lozano, M.; Luczynski, Z.; Lutz, G.; Macevoy, B.; Manolopoulos, S.; Markou, A.; Martinez, C.; Messineo, A.; Mikuž, M.; Moll, M.; Nossarzewska, E.; Ottaviani, G.; Oshea, V.; Parrini, G.; Passeri, D.; Petre, D.; Pickford, A.; Pintilie, I.; Pintilie, L.; Pospisil, S.; Potenza, R.; Raine, C.; Rafi, J. M.; Ratoff, P. N.; Richter, R. H.; Riedler, P.; Roe, S.; Roy, P.; Ruzin, A.; Ryazanov, A. I.; Santocchia, A.; Schiavulli, L.; Sicho, P.; Siotis, I.; Sloan, T.; Slysz, W.; Smith, K.; Solanky, M.; Sopko, B.; Stolze, K.; Sundby Avset, B.; Svensson, B.; Tivarus, C.; Tonelli, G.; Tricomi, A.; Tzamarias, S.; Valvo, G.; Vasilescu, A.; Vayaki, A.; Verbitskaya, E.; Verdini, P.; Vrba, V.; Watts, S.; Weber, E. R.; Wegrzecki, M.; Wegrzecka, I.; Weilhammer, P.; Wheadon, R.; Wilburn, C.; Wilhelm, I.; Wunstorf, R.; Wüstenfeld, J.; Wyss, J.; Zankel, K.; Zabierowski, P.; Žontar, D.. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - STAMPA. - 466:2(2001), pp. 308-326. [10.1016/S0168-9002(01)00560-5]
Radiation hard silicon detectors - developments by the RD48 (ROSE) collaboration
The RD48 (ROSE) collaboration has succeeded to develop radiation hard silicon detectors. capable to withstand the harsh hadron fluences in the tracking areas of LHC experiments. In order to reach this objective, a defect engineering technique was employed resulting in the development of Oxygen enriched FZ silicon (DOFZ), ensuring the necessary O-enrichment of about 2 x 10(17) O/cm(3) in the normal detector processing. Systematic investigations have been carried out on various standard and oxygenated silicon diodes with neutron, proton and pion irradiation up to a fluence of 5 x 10(14)cm(-2) (1 MeV neutron equivalent). Major focus is on the changes of the effective doping concentration (depletion voltage). Other aspects (reverse current, charge collection) are covered too and the appreciable benefits obtained with DOFZ silicon in radiation tolerance for charged hadrons are outlined. The results are reliably described by the "Hamburg model": its application to LHC experimental conditions is shown, demonstrating the superiority of the defect engineered silicon. Microscopic aspects of damage effects are also discussed. including differences due to charged and neutral hadron irradiation. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11589/3601
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.