In this paper we present the status and future challenges of ferroelectric and magnetic memories, which are the promise for dramatic improvements in the speed, endurance and power consumption of non-volatile semiconductor memories.
In questo articolo vengono esaminate le memorie di ultimissima generazione: le Memorie Ferroelettriche (FeRAM), basate sull’effetto fotoelettrico, e le Memorie Magnetiche (MRAM), basate sull’effetto tunnel magnetico. Entrambi questi tipi di memorie forniscono performance superiori rispetto alle attuali FlashRAM e promettono di superare i limiti strutturali a cui le Flash stanno attualmente andando in contro.
Memorie ferroelettriche e magnetiche: stato dell’arte e sviluppi futuri / R., Marani; Perri, Anna Gina. - In: LA COMUNICAZIONE. - ISSN 1590-864X. - (2014), pp. 161-172.
Memorie ferroelettriche e magnetiche: stato dell’arte e sviluppi futuri
PERRI, Anna Gina
2014-01-01
Abstract
In this paper we present the status and future challenges of ferroelectric and magnetic memories, which are the promise for dramatic improvements in the speed, endurance and power consumption of non-volatile semiconductor memories.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
