POLITECNICO DI BARI - Catalogo dei prodotti della Ricerca
Archivio istituzionale dei prodotti della ricerca destinato a raccogliere, rendere visibile e conservarela produzione scientifica del Politecnico di Bari.
EnglishIn this paper a 2-D I-V MESFET model coupled with a 3-D thermal model is presented. The temperature dependence of the velocity-electric field expression proposed by Chang et al. [1] has been considered so as to evaluate the device characteristics and small-signal parameters at the actual channel temperature. The effect of the device self-heating has been included by a coupled electrothermal simulation. The thermal dependence of all physical parameters involved both in the electric model and in the thermal model has been taken into account.
| Autori: | |
| Titolo: | Analytic model for temperature-Dependent I-V characteristics and small-signal parameters of GaAs MESFETs |
| Data di pubblicazione: | 2001 |
| Nome del convegno: | Pacific Rim/International, Intersociety Electronic Packaging Technical/Business Conference and Exhibition |
| ISBN: | 0791835405 |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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http://hdl.handle.net/11589/13989
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