Giorgio, Agostino

Giorgio, Agostino  

Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell'Informazione  

Settore ING-INF/01 - Elettronica  

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Titolo Data di pubblicazione Autori File
Caratterizzazione degli effetti termici nei MESFET in GaAs 1-gen-1995 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina +
Nuovi modelli statici e dinamici di MESFET in GaAs 1-gen-1995 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina +
Un nuovo modello empirico per la caratterizzazione DC di MESFET in GaAs 1-gen-1995 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina +
Un nuovo approccio per la caratterizzazione I-V di MESFET in GaAs per la sintesi di circuiti di commutazione veloce 1-gen-1995 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina +
A new empirical model for the dc characterization of GaAs MESFETs 1-gen-1995 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina +
Characterization and design of monolithically InGaAs/InP PIN/FET 1-gen-1995 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna GinaPETRUZZELLI, Vincenzo +
Elementi di tecnologia del Silicio e dell'Arseniuro di Gallio 1-gen-1995 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina +
An improved DC model of GaAs MESFETs for computer-aided circuit design 1-gen-1995 Castagnolo, BeniaminoGiorgio, AgostinoPerri, Anna Gina
FET in Si ed in GaAs 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
FET in GaAs: MESFET ed HEMT 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Analisi e progetto dei dispositivi elettronici ad eterogiunzione: HBT ed HEMT 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Omogiunzioni ed eterogiunzioni 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
An automatic optimization technique of the SIV layout yo improve the thermal design of power GaAs MESFET 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina +
Tecniche di progetto e caratterizzazione di dispositivi in GaAs per il CAD di MMIC con i parametri forniti dalla fonderia 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
BJT ad HBT 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Modelli di capacità per grandi segnali di MESFET in GaAs: stato dell'arte e nuovi modelli più accurati 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Introduzione all'uso di PSPICE per l'analisi ed il progetto di C.I. in Si ed in GaAs 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Progetto e caratterizzazione di dispositivi elettronici ad eterogiunzione : HBT 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Dispositivi elettronici: fisica, tecnologia, modelli. Corso finalizzato all'analisi ed al progetto di circuiti integrati in Si ed in GaAs 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Progetto e caratterizzazione di dispositivi elettronici ad eterogiunzione : HEMT 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina