Modeling and design of FETs in the temperature range from 50 °C to +120 °C oriented to low-power GaAs CAD applying low-frequency rechniques / Giorgio, A., Perri, A.G.. - (1997). (2° IEEE-CAS Region & Workshop on Analog and Mixed IC Design Baveno, Italia ).
Modeling and design of FETs in the temperature range from 50 °C to +120 °C oriented to low-power GaAs CAD applying low-frequency rechniques
GIORGIO, Agostino;PERRI, Anna Gina
1997
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

