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POLITECNICO DI BARI - Catalogo dei prodotti della Ricerca
The proposed luminosity upgrade of the Large Hadron Collider (S-LHC) at CERN will demand the innermost layers of the vertex detectors to sustain fluences of about 10(16) hadrons/cm(2). Due to the high multiplicity of tracks, the required spatial resolution and the extremely harsh radiation field new detector concepts and semiconductor materials have to be explored for a possible solution of this challenge. The CERN RD50 collaboration "Development of Radiation Hard Semiconductor Devices for Very High Luminosity Colliders" has started in 2002 an R&D program for the development of detector technologies that will fulfill the requirements of the S-LHC. Different strategies are followed by RD50 to improve the radiation tolerance. These include the development of defect engineered silicon like Czochralski, epitaxial and oxygen-enriched silicon and of other semiconductor materials like SiC and GaN as well as extensive studies of the microscopic defects responsible for the degradation of irradiated sensors. Further, with 3D, Semi-3D and thin devices new detector concepts have been evaluated. These and other recent advancements of the RD50 collaboration are presented and discussed. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
Recent advancements in the development of radiation hard semiconductor detectors for S-LHC / Fretwurst, E.; Adey, J.; Al-Ajili, A.; Alfieri, G.; Allport, P. P.; Artuso, M.; Assouak, S.; Avset, B. S.; Barabash, L.; Barcz, A.; Bates, R.; Biagi, S. F.; Bilei, G. M.; Bisello, D.; Blue, A.; Blumenau, A.; Boisvert, V.; Bolla, G.; Bondarenko, G.; Borchi, E.; Borrello, L.; Bortoletto, D.; Boscardin, M.; Bosisio, L.; Bowcock, T. J. V.; Brodbeck, T. J.; Broz, J.; Bruzzi, M.; Brzozowski, A.; Buda, M.; Buhmann, P.; Buttar, C.; Campabadal, F.; Campbell, D.; Candelori, A.; Casse, G.; Cavallini, A.; Charron, S.; Chilingarov, A.; Chren, D.; Cindro, V.; Collins, P.; Coluccia, R.; Contarato, D.; Coutinho, J.; Creanza, D.; Cunningham, L.; Dalla Betta, G. -F.; Dawson, I.; de Boer, W.; De Palma, M.; Demina, R.; Dervan, P.; Dittongo, S.; Dolezal, Z.; Dolgolenko, A.; Eberlein, T.; Eremin, V.; Fall, C.; Fasolo, F.; Ferbel, T.; Fizzotti, F.; Fleta, C.; Focardi, E.; Forton, E.; Garcia, C.; Garcia-Navarro, J. E.; Gaubas, E.; Genest, M. -H.; Gill, K. A.; Giolo, K.; Glaser, M.; Goessling, C.; Golovine, V.; González Sevilla, S.; Gorelov, I.; Goss, J.; Gouldwell Bates, A.; Grégoire, G.; Gregori, P.; Grigoriev, E.; Grillo, A. A.; Groza, A.; Guskov, J.; Haddad, L.; Härkönen, J.; Hauler, F.; Hoeferkamp, M.; Hönniger, F.; Horazdovsky, T.; Horisberger, R.; Horn, M.; Houdayer, A.; Hourahine, B.; Hughes, G.; Ilyashenko, I.; Irmscher, K.; Ivanov, A.; Jarasiunas, K.; Johansen, K. M. H.; Jones, B. K.; Jones, R.; Joram, C.; Jungermann, L.; Kalinina, E.; Kaminski, P.; Karpenko, A.; Karpov, A.; Kazlauskiene, V.; Kazukauskas, V.; Khivrich, V.; Khomenkov, V.; Kierstead, J.; Klaiber-Lodewigs, J.; Klingenberg, R.; Kodys, P.; Kohout, Z.; Korjenevski, S.; Koski, M.; Kozlowski, R.; Kozodaev, M.; Kramberger, G.; Krasel, O.; Kuznetsov, A.; Kwan, S.; Lagomarsino, S.; Lassila-Perini, K.; Lastovetsky, V.; Latino, G.; Lazanu, I.; Lazanu, S.; Lebedev, A.; Lebel, C.; Leinonen, K.; Leroy, C.; Li, Z.; Lindström, G.; Linhart, V.; Litovchenko, P.; Litovchenko, A.; Lo Giudice, A.; Lozano, M.; Luczynski, Z.; Luukka, P.; Macchiolo, A.; Makarenko, L. F.; Mandić, I.; Manfredotti, C.; Manna, N.; Marti i Garcia, S.; Marunko, S.; Mathieson, K.; Melone, J.; Menichelli, D.; Messineo, A.; Metcalfe, J.; Miglio, S.; Mikuž, M.; Miyamoto, J.; Moll, M.; Monakhov, E.; Moscatelli, F.; Naoumov, D.; Nossarzewska-Orlowska, E.; Nysten, J.; Olivero, P.; Oshea, V.; Palviainen, T.; Paolini, C.; Parkes, C.; Passeri, D.; Pein, U.; Pellegrini, G.; Perera, L.; Petasecca, M.; Piemonte, C.; Pignatel, G. U.; Pinho, N.; Pintilie, I.; Pintilie, L.; Polivtsev, L.; Polozov, P.; Popa, A.; Popule, J.; Pospisil, S.; Pozza, A.; Radicci, V.; Rafí, J. M.; Rando, R.; Roeder, R.; Rohe, T.; Ronchin, S.; Rott, C.; Roy, A.; Ruzin, A.; Sadrozinski, H. F. W.; Sakalauskas, S.; Scaringella, M.; Schiavulli, L.; Schnetzer, S.; Schumm, B.; Sciortino, S.; Scorzoni, A.; Segneri, G.; Seidel, S.; Seiden, A.; Sellberg, G.; Sellin, P.; Sentenac, D.; Shipsey, I.; Sicho, P.; Sloan, T.; Solar, M.; Son, S.; Sopko, B.; Sopko, V.; Spencer, N.; Stahl, J.; Stolze, D.; Stone, R.; Storasta, J.; Strokan, N.; Sudzius, M.; Surma, B.; Suvorov, A.; Svensson, B. G.; Tipton, P.; Tomasek, M.; Tsvetkov, A.; Tuominen, E.; Tuovinen, E.; Tuuva, T.; Tylchin, M.; Uebersee, H.; Uher, J.; Ullán, M.; Vaitkus, J. V.; Velthuis, J.; Verbitskaya, E.; Vrba, V.; Wagner, G.; Wilhelm, I.; Worm, S.; Wright, V.; Wunstorf, R.; Yiuri, Y.; Zabierowski, P.; Zaluzhny, A.; Zavrtanik, M.; Zen, M.; Zhukov, V.; Zorzi, N.. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - STAMPA. - 552:1-2(2005), pp. 7-19. [10.1016/j.nima.2005.05.039]
Recent advancements in the development of radiation hard semiconductor detectors for S-LHC
The proposed luminosity upgrade of the Large Hadron Collider (S-LHC) at CERN will demand the innermost layers of the vertex detectors to sustain fluences of about 10(16) hadrons/cm(2). Due to the high multiplicity of tracks, the required spatial resolution and the extremely harsh radiation field new detector concepts and semiconductor materials have to be explored for a possible solution of this challenge. The CERN RD50 collaboration "Development of Radiation Hard Semiconductor Devices for Very High Luminosity Colliders" has started in 2002 an R&D program for the development of detector technologies that will fulfill the requirements of the S-LHC. Different strategies are followed by RD50 to improve the radiation tolerance. These include the development of defect engineered silicon like Czochralski, epitaxial and oxygen-enriched silicon and of other semiconductor materials like SiC and GaN as well as extensive studies of the microscopic defects responsible for the degradation of irradiated sensors. Further, with 3D, Semi-3D and thin devices new detector concepts have been evaluated. These and other recent advancements of the RD50 collaboration are presented and discussed. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.