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FET in GaAs: MESFET ed HEMT 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
BJT ad HBT 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Progetto e caratterizzazione di dispositivi elettronici ad eterogiunzione : HBT 1-gen-1996 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
A new technique for designing high-performance monolithically integrated In0.53Ga0.47As/InP p-i-n/FET front-end optical receiver 1-gen-1996 Giorgio A.Perri A. G.Petruzzelli V.
Modeling thermal effects on MESFET I-V characteristics 1-gen-1996 B. CastagnoloA. GiorgioA. G. Perri
An automatic optimization technique of the SIV layout to improve the thermal design of power GaAs MESFETs 1-gen-1996 B. CastagnoloA. GiorgioA. G. Perri
An improved C-V model of GaAs MESFETs for CAD of high speed circuits and broadband amplifiers 1-gen-1997 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Modello dinamico del MESFET in GaAs per il progetto di C.I. a larga banda e di commutazione veloce nei sistemi di telecomunicazione 1-gen-1997 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Modeling and design of FETs in the temperature range from 50 °C to +120 °C oriented to low-power GaAs CAD applying low-frequency rechniques 1-gen-1997 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Modeling and design of FETs in the temperature range from -50 degrees C to +120 degrees C oriented to low-power GaAs ICs CAD applying low-frequency design techniques 1-gen-1997 Giorgio, AgostinoPerri, Anna Gina
Progetto di circuiti integrati per la microelettronica 1-gen-1998 Agostino GiorgioAnna Gina Perri
Elementi di progetto di amplificatori a microonde con l'impiego dei parametri S 1-gen-1998 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Thermal modelling of GaAs MESFETs 1-gen-1998 GIORGIO, AgostinoPASSARO, VittorioPERRI, Anna Gina +
Criteri di analisi e progetto delle reti di polarizzazione e stabilità termica dei dispositivi attivi 1-gen-1998 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Modelli termici per grandi e piccoli segnali di dispositivi in GaAs 1-gen-1998 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Modelli e tecniche di progetto del FET in GaAs per il CAD di MMIC funzionanti nell’intervallo di temperature comprese tra -50 °C e 120 °C 1-gen-1998 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
Risposta in frequenza degli amplificatori 1-gen-1998 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
A DC model of GaAs FET's improving circuit simulation 1-gen-1998 GIORGIO, AgostinoPASSARO, VittorioPERRI, Anna Gina
La stabilità degli amplificatori: principio e sue applicazioni negli oscillatori 1-gen-1998 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
L'amplificatore operazionale 1-gen-1998 GIORGIO, AgostinoPERRI, Anna Gina
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