POLITECNICO DI BARI - Catalogo dei prodotti della Ricerca

Perri, Anna Gina
 Distribuzione geografica
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Continente #
NA - Nord America 9.055
EU - Europa 8.691
AS - Asia 4.051
OC - Oceania 46
Continente sconosciuto - Info sul continente non disponibili 40
SA - Sud America 15
AF - Africa 12
Totale 21.910
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Nazione #
US - Stati Uniti d'America 8.976
CN - Cina 2.188
IE - Irlanda 1.816
UA - Ucraina 1.668
IT - Italia 1.458
BG - Bulgaria 810
TR - Turchia 797
HK - Hong Kong 766
DE - Germania 762
SE - Svezia 681
FI - Finlandia 437
PL - Polonia 318
FR - Francia 293
GB - Regno Unito 280
CA - Canada 70
MY - Malesia 69
VN - Vietnam 59
IN - India 43
NL - Olanda 42
AU - Australia 39
IR - Iran 39
EU - Europa 37
BE - Belgio 25
JP - Giappone 18
SY - Repubblica araba siriana 16
AT - Austria 15
ES - Italia 14
RO - Romania 14
RU - Federazione Russa 11
BR - Brasile 10
IL - Israele 9
KR - Corea 9
DK - Danimarca 8
PK - Pakistan 8
NZ - Nuova Zelanda 7
LU - Lussemburgo 6
EE - Estonia 5
HU - Ungheria 5
AL - Albania 4
CZ - Repubblica Ceca 4
MA - Marocco 4
MX - Messico 4
PT - Portogallo 4
SG - Singapore 4
A2 - ???statistics.table.value.countryCode.A2??? 3
AM - Armenia 3
CH - Svizzera 3
CM - Camerun 3
JO - Giordania 3
LK - Sri Lanka 3
SA - Arabia Saudita 3
AE - Emirati Arabi Uniti 2
AR - Argentina 2
DZ - Algeria 2
ID - Indonesia 2
LB - Libano 2
LV - Lettonia 2
MK - Macedonia 2
NO - Norvegia 2
TW - Taiwan 2
AG - Antigua e Barbuda 1
BD - Bangladesh 1
CI - Costa d'Avorio 1
CL - Cile 1
DO - Repubblica Dominicana 1
EC - Ecuador 1
EG - Egitto 1
GR - Grecia 1
JM - Giamaica 1
KH - Cambogia 1
KZ - Kazakistan 1
LA - Repubblica Popolare Democratica del Laos 1
MN - Mongolia 1
MS - Montserrat 1
PA - Panama 1
PE - Perù 1
SK - Slovacchia (Repubblica Slovacca) 1
TH - Thailandia 1
TN - Tunisia 1
Totale 21.910
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Città #
Jacksonville 2.194
Dublin 1.805
Chandler 1.585
Sofia 809
Izmir 784
Nanjing 768
Hong Kong 758
Ann Arbor 556
Bari 444
Malden 406
Wilmington 345
Lawrence 343
Warsaw 318
Bremen 302
Nanchang 273
San Mateo 263
Ashburn 237
Ogden 234
Woodbridge 222
New York 180
Shenyang 169
Helsinki 146
Tianjin 139
Kunming 138
Hebei 135
Houston 128
Milan 122
Jiaxing 86
Changsha 85
Strasbourg 73
Princeton 65
Boardman 62
Verona 58
Orange 53
Toronto 51
Hangzhou 48
Dong Ket 45
Jinan 44
Brindisi 42
Mountain View 42
Brooklyn 41
Changchun 41
San Francisco 41
Zhengzhou 41
Beijing 37
Lanzhou 35
Ningbo 35
Rome 35
Giovinazzo 30
Monmouth Junction 30
Seattle 28
Shanghai 28
Altamura 27
Redmond 26
Ardabil 25
Brussels 25
Taizhou 25
Des Moines 24
Redwood City 24
Norwalk 23
Brielle 21
Halle 20
Auburn Hills 18
Guangzhou 18
Leawood 17
Naples 16
New Delhi 16
Ostuni 16
Vienna 15
Capurso 14
Dearborn 14
Melbourne 14
Hanoi 13
London 13
Canberra 12
Modugno 12
Sydney 12
Edinburgh 11
Los Angeles 11
Potenza 11
Tokyo 11
Fairfield 10
Madrid 10
Menlo Park 10
Washington 10
Canosa Di Puglia 9
Noicattaro 9
Taranto 9
Bucharest 8
Fuzhou 8
Gravina In Puglia 8
Hanover 8
Islamabad 8
Margherita Di Savoia 8
Paris 8
Cassano Magnago 7
Frankfurt am Main 7
Ottawa 7
Stimigliano 7
Walnut 7
Totale 15.641
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Nome #
Elettronica Analogica 171
A New System for Continuous Monitoring of Breathing and Kinetic Activity 164
Il Quantum Computing: un nuovo scenario dell’elettronica 158
A Model to Optimize a Microwave PBG Accelerator based on Generic Unit Cell 155
Performance of SOI Bragg Grating Ring Resonator for Nonlinear Sensing Applications 152
Fondamenti di dispositivi elettronici : fisica, tecnologia e modelli 142
Dispositivi elettronici : manuale di progettazione con simulazioni PSPICE 138
Modelling and Design of Photonic Bandgap Devices: a Microwave Accelerating Cavity for Cancer Hadrontherapy 122
Dynamic Simulation of CNTFET-based Digital Circuits 114
Amplificatori M. I. C. implicanti transistori ad arseniuro di gallio 109
Omogiunzioni ed eterogiunzioni 108
CNTFET electronics : design principles 107
Valutazione numerica della larghezza di banda di fibre ottiche ad indice di rifrazione qualsiasi 103
An improved DC model of GaAs MESFETs for computer-aided circuit design 103
A Model to Improve Analysis of CNTFET Logic Gates in Verilog-A - Part II: Dynamic Analysis 102
Problemi di analisi e progetto dei dispositivi a semiconduttore 101
Il MESFET: principio di funzionamento, metodi di caratterizzazione ed applicazioni 100
A Comparison of Temperature Dependence of I-V Characteristics in CNTFETs Models 100
A 2-D Fourier transform-based method for the temperature distribution of multilayer structure electronic devices 100
Principali applicazioni sensoristiche dei Nanotubi di Carbonio 99
Codes and Bandwidth of Optical Fibre Communication Systems 98
FET in Si ed in GaAs 97
Circuito equivalente unilaterale e parametri di rumore di un transistore MESFET per alte frequenze 96
BJT ad HBT 94
A Model of Photonic Band-Gap Structures to DWDM Filter Design 94
A COMPARISON OF CIRCUIT SIMULATION MODELS OF GAAS MESFETS BY EXPERIMENTAL CHARACTERIZATION 94
A new general procedure to extract the noise parameters of microwave GaAs MESFETs 92
Introduzione all'uso di PSPICE per l'analisi ed il progetto di C.I. in Si ed in GaAs 92
DISPOSITIVI ELETTRONICI 92
FET in GaAs: MESFET ed HEMT 91
Elementi di tecnologia del Silicio e dell'Arseniuro di Gallio 90
Dispositivi optoelettronici per sistemi di telecomunicazioni su fibre ottiche 90
Impiego della crittografia a chiave pubblica oer la trasmissione di dati elaborati dal calcolatore 89
Modelling photonic band-gap devices by using the leaky mode propagation method 89
Comparison of ABM SPICE library with Verilog-A for compact CNTFET model implementation 88
Criteri di progetto dei MOSFET submicrometrici per alte prestazioni 88
MODELLI A PARAMETRI CONCENTRATI E DISTRIBUITI DEI MESFET IN ARSENIURO DI GALLIO E CORRISPONDENTI LIMITI DI FREQUENZA 88
Design of a MESFET amplifier for V.L.B.I. systems 88
Unilateral equivalent circuit and noise parameters of GaAs transistor 88
Progetto e caratterizzazione di dispositivi elettronici ad eterogiunzione : HEMT 88
Equivalent Circuits of Gallium Arsenide Unipolar Transistors 87
Computer aided design of two-stage amplifier for the frequency range 8 divided by 12 Ghz with MESFET and hybrid matching networks 86
Circuito equivalente e parametri di rumore di un MESFETR ad arseniuro di gallio per il progetto di amplificatori nei sistemi ottici di telecomunicazioni 86
A two-level new code for optical communication systems 86
Progetto e caratterizzazione di dispositivi elettronici ad eterogiunzione : HBT 86
A comparison of nonlinear circuit simulation models of GaAs MESFETs by DC/AC characterization 85
Dispositivi Elettronici Avanzati 85
Characterization and design of monolithically InGaAs/InP PIN/FET 85
A new technique for analysing light propagation in lithium niobate slab waveguides 85
RFID Technology for Biomedical Applications: State of Art and Future Developments 85
AGLAIA: un dispositivo elettromedicale per il rilievo dei suoni polmonari 84
A new technique for the analysis of lithium niobate slab waveguides 84
Noise characterization of GaAs MESFETs for the design of optical amplifiers 84
Analisi e progetto dei dispositivi elettronici ad eterogiunzione: HBT ed HEMT 83
Un nuovo modello empirico per la caratterizzazione DC di MESFET in GaAs 83
Analysis of CNTFETs Operating in SubThreshold Region for Low Power Digital Applications 83
Modelling of PBG Devices by the Leaky Mode Propagation Method 83
Nuovi modelli statici e dinamici di MESFET in GaAs 82
Automatic design of GaAs MESFETs for thermal effect optimization 82
Design of Optimized SOI Slot Waveguides for Homogeneous Optical Sensing in Near Infrared 82
Tecniche di progetto e caratterizzazione di dispositivi in GaAs per il CAD di MMIC con i parametri forniti dalla fonderia 81
Simulation of CNTFET Digital Circuits: a VERILOG-A Implementation 81
Studio di modelli per il progetto di un amplificatore a MESFET per sistemi V.L.B.I 81
Un nuovo approccio per la caratterizzazione I-V di MESFET in GaAs per la sintesi di circuiti di commutazione veloce 81
Collegamento di teleinformatica tra microcalcolatori e centro di calcolo esterno nel progetto di sistema ottici di telecomunicazioni 81
A new empirical model for the dc characterization of GaAs MESFETs 81
Caratterizzazione degli effetti termici nei MESFET in GaAs 81
Caratterizzazione automatica di dispositivi elettronici tramite SPICE 80
A Compact, Semi-empirical Model of Carbon Nanotube Field Effect Transistors oriented to Simulation Software 80
Effects of Temperature on Switching Time and Power Dissipation of CNTFET-Based Digital Circuits 80
The next generation of FETs: CNTFETs 79
Analytic model for temperature-Dependent I-V characteristics and small-signal parameters of GaAs MESFETs 79
Modelli di capacità per grandi segnali di MESFET in GaAs: stato dell'arte e nuovi modelli più accurati 79
Study of HEMTs Thermal Parameters Based on I-V Characteristics Analysis 79
Effects of Parasitic Elements of Interconnection Lines in CNT Embedded Integrated Circuits 79
A Model to Improve Analysis of CNTFET Logic Gates in Verilog-A-Part I: Static Analysis 78
A wearable, wireless, long-term recording electrocardiograph, improving the non-invasive diagnosis of cardiac deseases 78
A model for the noise parameter identification of microwave GaAs MESFETs 78
Optimization of microwave PBG-based hadron accelerator with square cell 78
Analysis and Simulation of Main Second Order Effects in CNTFETs 78
Memorie ferroelettriche e magnetiche: stato dell’arte e sviluppi futuri 77
An automatic optimization technique of the SIV layout yo improve the thermal design of power GaAs MESFET 77
A comparison of GaAs MESFET modelling by lumped and distributed elements 77
A comparison between tima - and frequency - domain approach to the design of GaAs MMIC's 77
Progetto e realizzazione di un dispositivo elettromedicale miniaturizzato per il monitoraggio non invasivo della saturazione in ossigeno dell’emoglobina nel sangue 76
Modelling and Design of MMIC for Space Applications and High Production Yields 76
Dispositivi elettronici: fisica, tecnologia, modelli. Corso finalizzato all'analisi ed al progetto di circuiti integrati in Si ed in GaAs 76
Analisi e Progetto di Dispositivi Elettronici in Si ed in GaAs 76
Innovative Devices in Biomedical Electronics 76
Sistema Universale di Monitoraggio delle Attività Vitali Umane e Dispositivi Dedicati 75
A Compact Noise Model for C-CNTFETs 75
Investigation of Dispersion and Nonlinear Effects in Silicon Nanocrystal Slot Waveguides for Surface Optical Sensing 74
Modelling of Carbon NanoTube Field Effect Transistors oriented to simulation software: applications to A/D circuit design 74
Optimal Design of Microwave Photonic Crystal based Accelerators 74
An automatic optimization technique of the SIV layout to improve the thermal design of power GaAs MESFETs 74
A two dimensional electrothermal model for GaAs MESFETs 73
Design of a wireless digital measurement system for the blood arterial pressure control 73
Elementi di simulazione al calcolatore per l'analisi ed il progetto di C.I. in Si ed in GaAs 73
Effects of Temperature in CNTFET-Based Design of Analog Circuits 73
A Formula to Determine Energy Band Gap in Semiconducting Carbon Nanotubes 73
Totale 9.051
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Categoria #
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selected - selezionate 0
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Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2018/20191.089 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 18 1.071
2019/20203.543 1.306 331 37 336 27 370 232 355 44 71 341 93
2020/20212.842 339 29 346 142 38 423 31 410 101 412 74 497
2021/20223.623 71 90 37 580 289 25 90 205 256 883 220 877
2022/20235.566 523 166 132 534 660 494 54 333 2.241 143 218 68
2023/20242.257 190 120 87 71 879 342 54 130 353 30 1 0
Totale 22.572